EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
Номер детали:
EPC2304ENGRT
Категория:
-
Производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 10000
Кол-во
Цена
Итого
10000+
$4.81
$48100
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Поставщик Устройство Корпус
7-QFN (3x5)
Корпус
7-PowerWQFN
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
102A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 8mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3195 pF @ 100 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-