Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
48A (Ta)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 4mA
Поставщик Устройство Корпус
7-QFN (3x5)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
10.6 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1401 pF @ 100 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10mOhm @ 16A, 5V