EPC2307ENGRT
EPC2307ENGRT
EPC2307ENGRT
Номер детали:
EPC2307ENGRT
Категория:
-
Производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
15360
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$8.21
$8.21
10+
$5.56
$55.6
100+
$4.21
$421
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
48A (Ta)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 4mA
Поставщик Устройство Корпус
7-QFN (3x5)
Корпус
7-PowerWQFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
10.6 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1401 pF @ 100 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-