Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
48A (Ta)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
13.8 nC @ 5 V
Поставщик Устройство Корпус
7-QFN (3x5)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2103 pF @ 75 V