Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
28 nC @ 5 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 15mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
101A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
7-QFN (3x5)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1mOhm @ 50A, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4094 pF @ 50 V