EPC2367
Номер детали:
EPC2367
Категория:
-
Производитель:
Описание:
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$7.58
$7.58
10+
$5.11
$51.1
100+
$3.79
$379
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
17 nC @ 5 V
Тип монтажа
Surface Mount, Wettable Flank
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 10mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
78A (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2170 pF @ 50 V
Поставщик Устройство Корпус
5-QFN (3.3x3.3)
Корпус
5-PowerWQFN
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код