Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
Die
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.3 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1180 pF @ 50 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
29A (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 5.5mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 16A, 5V