EPC2619ENGRT
EPC2619ENGRT
EPC2619ENGRT
Номер детали:
EPC2619ENGRT
Категория:
-
Производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Obsolete
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.3 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1180 pF @ 50 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
29A (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 5.5mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 16A, 5V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-