Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Поставщик Устройство Корпус
4-SMD
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1A (Tc)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 140µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
22 pF @ 30 V