EPC7014UBC
EPC7014UBC
EPC7014UBC EPC7014UBC
Номер детали:
EPC7014UBC
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
90
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$200.08
$200.08
10+
$184.4
$1844
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Поставщик Устройство Корпус
4-SMD
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Корпус
4-SMD, No Lead
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1A (Tc)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 140µA
Vgs (макс.)
+7V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
22 pF @ 30 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-