FDP8442-F085
FDP8442-F085
FDP8442-F085
Номер детали:
FDP8442-F085
Категория:
-
Производитель:
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
2350
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 180
Кол-во
Цена
Итого
180+
$1.84
$331.2
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Корпус
TO-220-3
Поставщик Устройство Корпус
TO-220-3
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
254W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
235 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
12200 pF @ 25 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-