Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
8-SOP
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
11nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
955pF @ 20V
Мощность - Максимальная
900mW (Ta)