Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
110A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
405W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3L
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
28mOhm @ 35A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4437 pF @ 400 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 60mA (Typ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
194 nC @ 400 V