Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
43A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 20mA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
202W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3L
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
69 nC @ 15 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
80mOhm @ 15A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1499 pF @ 400 V