Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
81A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
333W (Tc)
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Напряжение сток-исток (Vdss)
750 V
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 60mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
174 nC @ 15 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4604 pF @ 500 V