Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
180W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
29A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 20mA
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3L
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
112mOhm @ 8A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
73 nC @ 15 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1548 pF @ 800 V