Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
150°C
Рассеиваемая мощность (максимальная)
360mW (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.4A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
12 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.5V, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
275 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
30mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 236µA
Поставщик Устройство Корпус
4-CSP (0.8x0.8)