Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
150°C
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2.3A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
12 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
340mW (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 118µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2.55 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
274 pF @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
ALGA004-W-0606-RA01