Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
150°C
Рассеиваемая мощность (максимальная)
370mW (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7 nC @ 4.5 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
12 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.5V, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
490 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
24mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 394µA
Поставщик Устройство Корпус
4-CSP (1x1)