Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
TO-3PN
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
65A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7900 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
310W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
32mOhm @ 32.5A, 10V