G3F25MT06J-TR
Номер детали:
G3F25MT06J-TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
717
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$17.82
$17.82
10+
$14.54
$145.4
100+
$13.8
$1380
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
108A (Tc)
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 35A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.3V @ 15mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
108 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2939 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
343W (Tc)
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код