G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR
Номер детали:
G3F60MT06L-TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650V 55M TO-LL G3F SIC MOSFET
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
1981
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$7.29
$7.29
10+
$5.81
$58.1
100+
$5.13
$513
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
48A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
185W (Tc)
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Корпус
8-PowerSFN
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
45 nC @ 18 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
75mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.3V @ 7mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1322 pF @ 400 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-