Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
48A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
185W (Tc)
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
45 nC @ 18 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
75mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.3V @ 7mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1322 pF @ 400 V