GCMS008C120S1-E1
Номер детали:
GCMS008C120S1-E1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1629
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$46.3
$46.3
10+
$34.65
$346.5
100+
$31.71
$3171
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
SOT-227-4, miniBLOC
Поставщик Устройство Корпус
SOT-227
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs (макс.)
+22V, -8V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
536W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
12mOhm @ 100A, 18V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
189A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 40mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
506 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
14085 pF @ 1000 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код