GCMX020A120B2T1P
GCMX020A120B2T1P
GCMX020A120B2T1P
Номер детали:
GCMX020A120B2T1P
Категория:
-
Производитель:
Описание:
1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Корпус:
Упаковка:
Tray
Количество:
1610
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$79.33
$79.33
10+
$61.35
$613.5
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
Module
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 20mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
235nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6200pF @ 800V
Мощность - Максимальная
263W (Tc)
Новейшие продукты
M2P45M12W2-1LA
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
M2TP80M12W2-2LA
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
BSS8402DW
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
50V 3@10V,0.13A 500MV 1 N-CHANNE
SL3134KDW
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 350M@4.5V,0.75A 150MW
SL3139KDW
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 660MA 700M@2.5V,0.66A 150MW
NXVF6532M3TG01
onsemi
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
MSIE40N90-6
Bruckewell
N-MOSFET,40V,90A,DFN14X12
MSIE40N150-6
Bruckewell
N-MOSFET,40V,150A,DFN14X12