Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 20mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
235nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6200pF @ 800V
Мощность - Максимальная
263W (Tc)