GE12160CEA3
Номер детали:
GE12160CEA3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
12
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$9678.9
$9678.9
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Квалификация
AEC-Q101
Корпус
Module
Поставщик Устройство Корпус
Module
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1.425kA (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 480mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
3744nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
90000pF @ 600V
Мощность - Максимальная
3.75kW
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код