Тип монтажа
Chassis Mount
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Поставщик Устройство Корпус
Module
Мощность - Максимальная
1250W
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700V (1.7kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
425A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 160mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
4.45mOhm @ 425A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1207nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
29100pF @ 900V