Тип монтажа
Chassis Mount
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
Module
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
-
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700V (1.7kV)
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 480mA
Мощность - Максимальная
3.75kW
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1.275kA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
3621nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
82nF @ 600V