GPI65008DF68
GPI65008DF68
GPI65008DF68
Номер детали:
GPI65008DF68
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
980
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$4.4
$4.4
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8A
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Vgs (макс.)
+7.5V, -12V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2.1 nC @ 6 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
63 pF @ 400 V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.7V @ 3.5mA
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-