Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8A, 10V
Конфигурация
N and P-Channel Complementary
Мощность - Максимальная
20W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
8-PPAK (3.15x3.1)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Tc), 16A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
18nC @ 10V, 48nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
345pF @ 25V, 1250pF @ 15V