Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263 (D2PAK)
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
135 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
290W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
175A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
8400 pF @ 50 V