Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
8-SOP
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
36 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.8W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1400 pF @ 75 V