Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tc)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
46 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Рассеиваемая мощность (максимальная)
138W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3350 pF @ 75 V