Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
146 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
205W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
PG-LHDSO-10-3
Корпус
10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
425A (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
0.64mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 115µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
10040 pF @ 20 V