IMZA120R022M2HXKSA1
Номер детали:
IMZA120R022M2HXKSA1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IMZA120R022M2HXKSA1
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$17.62
$17.62
30+
$10.89
$326.7
120+
$9.72
$1166.4
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
80A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Корпус
TO-247-4
Рассеиваемая мощность (максимальная)
329W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (макс.) при Id
5.1V @ 10.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
71 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2330 pF @ 800 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
29mOhm @ 32A, 18V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код