IMZA120R026M2HXKSA1
Номер детали:
IMZA120R026M2HXKSA1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IMZA120R026M2HXKSA1
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$15.25
$15.25
30+
$9.3
$279
120+
$8.06
$967.2
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
69A (Tc)
Корпус
TO-247-4
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
60 nC @ 18 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Vgs (макс.)
+23V, -7V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (макс.) при Id
5.1V @ 8.6mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1990 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
289W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
34mOhm @ 27A, 18V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код