IPB175N20NM6ATMA1
Номер детали:
IPB175N20NM6ATMA1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IPB175N20NM6ATMA1
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.69
$26.9
100+
$1.88
$188
500+
$1.66
$830
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
39 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 105µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3100 pF @ 100 V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO263-3-U01
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 38A, 15V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.8W (Ta), 203W (Tc)
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код