Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V, 15V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
178 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
PG-HSOG-4-1
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 15V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
3.45V @ 240µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
14000 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.8W (Ta), 349W (Tc)