IPP175N20NM6AKSA1
IPP175N20NM6AKSA1
IPP175N20NM6AKSA1 IPP175N20NM6AKSA1
Номер детали:
IPP175N20NM6AKSA1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IPP175N20NM6AKSA1
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$3.18
$3.18
50+
$1.58
$79
100+
$1.43
$143
500+
$1.15
$575
1000+
$1.06
$1060
2000+
$1
$2000
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-220-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
39 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 105µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3100 pF @ 100 V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO220-3-U04
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 38A, 15V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.8W (Ta), 203W (Tc)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-