Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
39 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 105µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3100 pF @ 100 V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO220-3-U04
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 38A, 15V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.8W (Ta), 203W (Tc)