IRF510
IRF510
IRF510
Номер детали:
IRF510
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Obsolete
Тип монтажа
Through Hole
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
180 pF @ 25 V
FET Особенности
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Корпус
TO-220-3
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-