Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
44 nC @ 4.5 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.25V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
DIRECTFET™ MX
Корпус
DirectFET™ Isometric MX
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3765 pF @ 20 V