Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
31 nC @ 10 V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1360 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.9V @ 100µA
Поставщик Устройство Корпус
DIRECTFET™ MZ
Корпус
DirectFET™ Isometric MZ