IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF
Номер детали:
IRF6662TRPBF
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
10718
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 208
Кол-во
Цена
Итого
208+
$1.6
$332.8
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
31 nC @ 10 V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1360 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.9V @ 100µA
Поставщик Устройство Корпус
DIRECTFET™ MZ
Корпус
DirectFET™ Isometric MZ
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-