IRF6726MTRPBFTR
IRF6726MTRPBFTR
IRF6726MTRPBFTR
Номер детали:
IRF6726MTRPBFTR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
4800
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 207
Кол-во
Цена
Итого
207+
$1.61
$333.27
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Поставщик Устройство Корпус
DIRECTFET™ MT
Корпус
DirectFET™ Isometric MT
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
77 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6140 pF @ 15 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-