Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Поставщик Устройство Корпус
DIRECTFET™ MT
Корпус
DirectFET™ Isometric MT
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
77 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6140 pF @ 15 V