Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
180 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
115W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
3.7V @ 150µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
114A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 70A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6510 pF @ 25 V
Поставщик Устройство Корпус
DirectFET™ Isometric ME
Корпус
DirectFET™ Isometric ME