Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
500 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
50W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2.5A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
360 pF @ 25 V