Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Тип полевого транзистора
P-Channel
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.7 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
200 pF @ 25 V