IRFB3256PBF
IRFB3256PBF
IRFB3256PBF
Номер детали:
IRFB3256PBF
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
240
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 202
Кол-во
Цена
Итого
202+
$1.64
$331.28
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Корпус
TO-220-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
300W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
75A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 150µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 75A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6600 pF @ 48 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-