Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Поставщик Устройство Корпус
4-HVMDIP
Корпус
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
600mA (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 300mA, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15 nC @ 15 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
250 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-