IRFD9113
IRFD9113
IRFD9113
Номер детали:
IRFD9113
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Obsolete
Тип монтажа
Through Hole
Рабочая температура
-
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Тип полевого транзистора
P-Channel
Поставщик Устройство Корпус
4-HVMDIP
Корпус
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
600mA (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15 nC @ 15 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
250 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-