ISCH54N04NM7VATMA1
ISCH54N04NM7VATMA1
ISCH54N04NM7VATMA1
Номер детали:
ISCH54N04NM7VATMA1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
ISCH54N04NM7VATMA1
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$3.66
$3.66
10+
$2.38
$23.8
100+
$1.66
$166
500+
$1.42
$710
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
146 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V, 15V
Корпус
8-PowerTDFN
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3W (Ta), 214W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7700 pF @ 20 V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TDSON-8
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
54A (Ta), 458A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
0.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.15V @ 113µA
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-