Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
70 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7.5A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
860mW (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
5000 pF @ 20 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
15mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 990µA
Поставщик Устройство Корпус
9-LGA (3.05x3.05)