Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1250 pF @ 15 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
130A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
28.8 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060
Рассеиваемая мощность (максимальная)
73W (Tj)