Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
36 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 50A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
117A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
3.4V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2090 pF @ 50 V
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060
Рассеиваемая мощность (максимальная)
138W (Tj)